用同一抗原再次免疫時，可引起比初次更強的抗體產(chǎn)生，稱之為再次免疫應(yīng)答或免疫記憶，無論在體液免疫或細胞免疫均可發(fā)生免疫記憶現(xiàn)象。在體液免疫時，對TD抗原的再次應(yīng)答可表現(xiàn)為抗體滴度明顯上升，免疫球蛋白類別可由IgM轉(zhuǎn)換為IgG，而且抗體親和力增強。提示再次應(yīng)答不僅發(fā)生抗體量的變化，而且也發(fā)生了質(zhì)的變化。實驗證明，免疫記憶的基礎(chǔ)是免疫記憶細胞的產(chǎn)生。
一、免疫記憶細胞
在載體-半抗原效應(yīng)的研究中，已證明T細胞及B細胞都與免疫記憶有關(guān)。即在免疫應(yīng)答過程中，既能產(chǎn)生B記憶細胞（Bm),也能產(chǎn)生TH記憶（THm)。免疫記憶現(xiàn)象可以解釋為對特異抗原應(yīng)答的淋巴細胞數(shù)量增加的現(xiàn)象。
用有限稀釋法計數(shù)在載體-半抗原效應(yīng)中免疫記憶細胞的數(shù)量變化，發(fā)現(xiàn)在T細胞群中對載體特異的T細胞輔助活性比初次應(yīng)答可增強10倍。這不僅是由于TH細胞數(shù)量的增加，也反映了TH功能的增強所致。
有相同方法也證明了在再次應(yīng)答中對半抗原特異的細胞數(shù)量亦增加，由其產(chǎn)生抗體性質(zhì)的變化，表明B記憶細胞也伴隨有質(zhì)的變化。關(guān)于前進B細胞（Bp)、成熟B細胞（Bv)、記憶B細胞（Bm)的特性可見表11-8。
表11-8 Bp、Bv、Bm細胞的特性
| Bp | Bv | Bm | |
| 更新速率 | 快（數(shù)日) | 快（數(shù)日) | 慢（數(shù)月～數(shù)周) |
| 再循環(huán) | 無 | 無 | 有 |
| 組織分布 | |||
| 胚胎期 | 肝、脾 | － | － |
| 成年期 | 骨髓 | 骨髓、脾、淋巴節(jié) | 胸導(dǎo)管、脾、淋巴結(jié) |
| 耐受性產(chǎn)生 | 易 | 難 | 難 |
| 對抗原親和力 | － | 低 | 高 |
| 過繼抗體產(chǎn)生 | 慢（2～3周) | 快（1～3周) | 快（1周) |
| 電泳遷移率 | － | 快 | 慢 |
二、免疫球蛋白類別的轉(zhuǎn)換
在初次應(yīng)答時開始出現(xiàn)的抗體是IgM，當(dāng)達到高峰時才開始出現(xiàn)IgG，而IgG高峰雖出現(xiàn)較晚，但能維持較長時間。在再次應(yīng)答時產(chǎn)生IgG的潛伏期明顯縮短，水平更高。醫(yī)學(xué) 全在.線提供m.52667788.cn
這種由IgM轉(zhuǎn)換為IgG只是Ig分子的類別變化，其識別抗原的特異性則仍相同。表明這二類Ig分子V區(qū)結(jié)構(gòu)相同，只是C區(qū)結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。實驗證明，給新生小鼠注入抗μ血清，可抑制IgG和IgM的產(chǎn)生，提示這種轉(zhuǎn)換可能是由產(chǎn)生IgM的細胞變?yōu)楫a(chǎn)生IgG的細胞，而不是由不同亞群的B細胞產(chǎn)生的。
三、抗體親和力的變化
在抗體生成過程中，抗體分子的平均親和力隨著時間的延長而增加，這種現(xiàn)象稱為抗體分子親和力的成熟。實驗證明，在免疫應(yīng)答過程中，IgG的親和力可增加達數(shù)百倍。這種親和力的成熟現(xiàn)象，被認(rèn)為是由于存在具有不同親和力Ig受體的B細胞。在免疫應(yīng)答初期可因存在較大量的游離抗原分子，因此與低親和力受體的B細胞結(jié)合較多，故其所產(chǎn)生抗體分子的平均親和力較低。當(dāng)抗原量逐漸減少時，則與帶有高親和力受體細胞的結(jié)合多于低親和力受體細胞，因之抗體分子的平均親和力隨時延長而增高。
